국내 반도체 소재 스타트업 아이브이웍스가 질화갈륨(GaN) 트랜지스터 분야에서 세계 신기록을 세우며 초고주파 반도체 기술의 새로운 지평을 열었습니다. 아이브이웍스의 독자적인 선택적 재성장 기술(reGaN)을 적용한 GaN 트랜지스터가 최대 발진 주파수(fmax) 742GHz를 기록하며, 기존 GaN 소자의 한계를 뛰어넘는 성능을 입증했습니다. 이는 5G를 넘어 6G 통신 시대를 위한 핵심 기술로 주목받고 있습니다.
이번 성과는 경북대학교 전자공학부 김대현 교수 연구팀이 개발한 45나노미터(nm)급 GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 기반 연구를 통해 달성되었습니다. 연구팀은 45nm 게이트 길이를 적용한 GaN 트랜지스터에서 742GHz의 최대 발진 주파수와 497GHz의 평균 주파수(favg)를 기록했습니다. 이 혁신적인 연구 결과는 반도체 분야 최고 권위의 국제 학술대회인 VLSI 심포지엄 2026에서 공개될 예정입니다. 아이브이웍스의 reGaN 기술은 GaN 에피택시 공정의 난이도를 낮추고 성능을 극대화하는 데 기여한 것으로 알려졌습니다.
이번 700GHz 돌파는 차세대 통신, 레이더, 위성 통신 등 다양한 초고주파 응용 분야에서 GaN 반도체의 활용 가능성을 크게 확장시킬 것입니다. 특히 6G 이동통신은 테라헤르츠(THz) 대역의 주파수를 활용할 것으로 예상되는데, 이번 기술은 6G 상용화를 위한 핵심 기반 기술이 될 수 있습니다. 또한, 고성능 레이더 시스템과 우주항공 분야에서도 더욱 빠르고 정확한 데이터 전송 및 처리를 가능하게 하여 산업 전반에 걸쳐 혁신을 가져올 잠재력을 가지고 있습니다.